Транзистор IRF540N TO-220 Infineon (упаковка 2шт) N-канал 33А, 100В
Номер товара: 62701
175 p
Со скидкой: 160 p
Есть на складах: 3 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор IRF540N TO-220 Infineon (упаковка 2шт) N-канал 33А, 100В
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом
Производитель (Brand): Infineon Technologies
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 100 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. 33 А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. ±20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.. 120 Вт
Крутизна характеристики, S 21
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Рассеиваемая Мощность 130Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 33А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.044Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 4В
Тип корпуса: TO-220AB
Количество в упаковке, шт: 2
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом
Производитель (Brand): Infineon Technologies
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 100 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. 33 А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. ±20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.. 120 Вт
Крутизна характеристики, S 21
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Рассеиваемая Мощность 130Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 33А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.044Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 4В
Тип корпуса: TO-220AB
Количество в упаковке, шт: 2
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | -40...175 °С |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Страна производитель | Китай |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Количество в упаковке, шт | 2 |
| Вес с упаковкой до | 30 гр |
| Максимальное напряжение | 100 В, V |
| Максимальный ток | 33 А |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 3 шт. | 8(3812)660118 |
