Транзистор 2SK3878 TO-3P Toshiba N-канал 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена TK9J90E)
Номер товара: 59738
380 p
Со скидкой: 340 p
Есть на складах: 5 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор 2SK3878 TO-3P Toshiba (N-канал 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена TK9J90E)
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Field-effect transistor, N-channel, 900V 9A 150W
Производитель: Toshiba
Технические параметры
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 9
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 1300@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 900
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??30
Maximum Power Dissipation - (mW) 150000
Operating Temperature - (??C) -55~150
Process Technology pi-MOS IV
Standard Package Name TO-3PN
Supplier Package TO-3PN
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 60
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 60@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 2200@25V
Тип корпуса: SOT-399
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Field-effect transistor, N-channel, 900V 9A 150W
Производитель: Toshiba
Технические параметры
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 9
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 1300@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 900
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??30
Maximum Power Dissipation - (mW) 150000
Operating Temperature - (??C) -55~150
Process Technology pi-MOS IV
Standard Package Name TO-3PN
Supplier Package TO-3PN
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 60
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 60@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 2200@25V
Тип корпуса: SOT-399
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | Toshiba |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 900 В, V |
| Максимальный ток, А | 9 А |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 3 шт. | 8(3812)660118 |
| ТК "Голубой Огонек", бутик 2, ул. К. Маркса 29-а | 2 шт. | 8(3812)660118 доп 210 |
