Транзистор ГТ313Б (упаковка 2 шт)

Транзисторы ГТ313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г.
Основные технические характеристики транзистора ГТ313Б:
- Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
- Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц;
- Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
- Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
- Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
- h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА;
- Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
- Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
- tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс.