Транзистор FDS9926A SO8 ONS (упаковка 2шт) 2N-канальный 20В 6.5А 2Вт
Номер товара: 64910
230 p
Со скидкой: 210 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор FDS9926A SO8 ONS (2N-канальный 20В 6.5А 2Вт) (упаковка 2шт)
Тип транзистора: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом
field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 20V 6.5A 0.03 Ohm
Производитель: ON Semiconductor
Технические параметры
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.5
Количество в упаковке, шт: 2
Тип транзистора: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом
field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 20V 6.5A 0.03 Ohm
Производитель: ON Semiconductor
Технические параметры
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе: 0.5…1.5
Количество в упаковке, шт: 2
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Комплектация | Транзистор FDS9926A ONS 2шт |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | от -55 до +150 °С |
| Название группы | Транзисторы Mosfet |
| Производитель | ON Semiconductor (ONS) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип | Транзистор Mosfet |
| Тип корпуса | SO8 (Soic-8) |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес без упаковки, гр | 0.3 гр |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 2 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 20 В, V |
| Максимальный ток, А | 6.5 А |
| Мощность, Вт, W | 2 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии
Похожие товары
Недавно просмотренные
Транзистор STP80NF55-08 TO-220 STM (упаковка 2шт) N-канал 55В 80А 0.008Ом 300Вт765 p785 p765 p
Нет в наличии
Конденсатор 10мкФ 450В 10*20мм 105С JB JRB2W100M05001000200000B 120мА 2000час75 p80 p75 p
Есть: 1 шт.
