Транзистор GT50JR22 TO-3P(N) Toshiba (IGBT 600В 50А 230Вт)

Номер товара: 63516

395 p

Со скидкой: 375 p

Нет в наличии

Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽

Посчитать доставку

Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:

Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.

Описание товара
Характеристики
Отзывы
Наличие в магазинах г.Омска

Описание товара

Транзистор GT50JR22 TO-3P(N) Toshiba (IGBT 600В 50А 230Вт)

Тип транзистора: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Производитель: Toshiba Semiconductor

Технические параметры
Напряжение К-Э максимальное 600
Ток коллектора максимальный при 25°C 50 А
Напряжение насыщения К-Э 2.2 В
Время включения 250 нс
Время выключения 330 нс
Максимальная мощность 230 Вт
Тип корпуса: TO-3PN

Количество в упаковке, шт: 1

Показать полностью...

Характеристики

Артикул	нет
Бренд	Radiosfera
Вид активного компонента	Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Производитель	Toshiba Semiconductor
Страна производитель	Китай
Тип корпуса	TO-3PN
Тип транзистора	Транзисторы IGBT
Тип элемента	Активные компоненты
Количество в упаковке, шт	1
Вес с упаковкой до	30 гр
Максимальное напряжение	600 В, V
Максимальный ток	50 А

Отзывы

Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.

Наличие в магазинах г.Омска

Товара нет в наличии