Транзистор STD35NF06LT4 DPAK, TO252 STM (N-канал 60В 35A)
Номер товара: 59699
170 p
Со скидкой: 155 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор STD35NF06LT4 DPAK, TO252 STM (N-канал 60В 35A)
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: STM
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 35 A
Maximum Drain Source Resistance 17 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -15 V, +15 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series STripFET II
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
Тип корпуса: DPAK
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: STM
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 35 A
Maximum Drain Source Resistance 17 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -15 V, +15 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Series STripFET II
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
Тип корпуса: DPAK
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252-3) |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 60 В, V |
| Максимальный ток, А | 35 А |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии
