Транзистор КТ829В

Транзисторы КТ829В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 3,0 г. Импортный аналог: BD643, BD677, BDW23A, BD331, BDX53A.
Основные технические характеристики транзистора КТ829В:
Структура транзистора: n-p-n;
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм);
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мА (100В);
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,57 Ом.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ829В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.