Транзистор КТ819ГМ

Транзисторы КТ819ГМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ819ГМ:
Структура транзистора: n-p-n;
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм);
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом.