Транзистор STP10NK60Z TO-220AB STM (упаковка 2шт) N-канал 650В 10А 115Вт
Номер товара: 65578
550 p
Со скидкой: 520 p
Есть на складах: 5 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор STP10NK60Z TO-220AB STM ( N-канал 650В 10А 115Вт) (упаковка 2шт)
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10А 115Вт
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Технические параметры
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А
Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 750 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 750 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В
Максимальное напряжение затвора 30 В
Заряд затвора 70 нКл
Рассеиваемая мощность 115 Вт
Примечание Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Ёмкость затвора 1 370 пФ
Корпус TO220AB
Количество в упаковке, шт: 2
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10А 115Вт
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Технические параметры
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А
Сопротивление открытого канала (мин) 750 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 750 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 750 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В
Максимальное напряжение затвора 30 В
Заряд затвора 70 нКл
Рассеиваемая мощность 115 Вт
Примечание Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Ёмкость затвора 1 370 пФ
Корпус TO220AB
Количество в упаковке, шт: 2
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Комплектация | Транзистор STP10NK60Z STM 2шт |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | от -55 до +150 °С |
| Название группы | Транзисторы Mosfet |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип | Транзистор Mosfet |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес без упаковки, гр | 5 гр |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 2 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 650 В, V |
| Максимальный ток, А | 10 А |
| Мощность, Вт, W | 115 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 5 шт. | 8(3812)660118 |
