Транзистор ГТ402Г

Транзисторы ГТ402Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 5,0 г.
Основные технические характеристики транзистора ГТ402Г:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 400 мВт;
fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В при 0,2 кОм;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 500 мА;
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мкА;
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 60...150.