Транзистор 2Т818Б

Транзисторы 2Т818Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т818Б:
Структура транзистора: p-n-p;
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом.