Транзистор КТ827Б

Транзисторы КТ827Б кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ827Б:
Структура транзистора: n-p-n;
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с / теплоотводом: 125 Вт;
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;
Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом.