Транзистор П210Б

Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-18.
Масса транзистора не более 37,0 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Основные технические характеристики транзистора П210Б:
• Структура транзистора: p-n-p • Рк т max -Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П210Б П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 210 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.