Транзистор IRF640N TO-220AB Infineon (упаковка 2шт) N-канал 200В,18А
Номер товара: 62708

209 p
Со скидкой: 193 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор IRF640N TO-220AB Infineon (упаковка 2шт) N-канал 200В,18А
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель: Infineon Technologies
Технические параметры
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 200: В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.: 18 А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.: ±20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.: 150 Вт
Крутизна характеристики, S: 6.8
Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В
Тип корпуса: TO-220AB
Диапазон рабочих t, до С°: -55...175°C
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель: Infineon Technologies
Технические параметры
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси 200: В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.: 18 А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.: ±20 В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.: 150 Вт
Крутизна характеристики, S: 6.8
Пороговое напряжение на затворе: 2…4 В
Тип корпуса: TO-220AB
Диапазон рабочих t, до С°: -55...175°C
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | от -55 до +175 °С |
| Производитель | Infineon Technologies AG |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 2 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 200 В, V |
| Максимальный ток, А | 18 А |
| Мощность, Вт, W | 150 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии
Похожие товары
Недавно просмотренные

уценка
Радиоприемник H011UBT JIOC USB/microSD аккумулятор 18650, трещина корпуса737 p765 p737 p
Нет в наличии
Бинокуляр монтажника 9892B2C var2 5 линз, белые с подсветкой, аккумулятор, microUSB1595 p1733 p1595 p
Нет в наличии
Карта памяти 32 Гб microSDHC SmartBuy SB32GBSDU1A-AD UHS-I U3, с адаптером583 p659 p583 p
Нет в наличии
Модуль управления и индикации MK-HE-1702-2-5 для электрочайника Redmond RK-M1303D495 p550 p495 p
Есть: 1 шт.












