Транзистор SQD15N06-42L-GE3, RECOMMENDED ALT 781- SQD15N06-42LGE3
Номер товара: 62661
200 p
Со скидкой: 170 p
Есть на складах: 28 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.036Ом
Power Dissipation 37Вт
Квалификация: AEC-Q101
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Линейка Продукции: TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Монтаж транзистора: Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 60В
Непрерывный Ток Стока: 15А
Полярность Транзистора: N Канал
Пороговое Напряжение Vgs: 2В
Рассеиваемая Мощность: 37Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.036Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Maximum Continuous Drain Current: 15 A
Maximum Drain Source Voltage: 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package Type: TO-252
Continuous Drain Current (Id): 15A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss): 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds): 535pF@25V
Power Dissipation (Pd): 37W
Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V
Drain Source On State Resistance 0.036Ом
Power Dissipation 37Вт
Квалификация: AEC-Q101
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Линейка Продукции: TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Монтаж транзистора: Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Напряжение Истока-стока Vds: 60В
Непрерывный Ток Стока: 15А
Полярность Транзистора: N Канал
Пороговое Напряжение Vgs: 2В
Рассеиваемая Мощность: 37Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.036Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Maximum Continuous Drain Current: 15 A
Maximum Drain Source Voltage: 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package Type: TO-252
Continuous Drain Current (Id): 15A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@10A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss): 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds): 535pF@25V
Power Dissipation (Pd): 37W
Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15nC@10V
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | STM |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252-3) |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 28 шт. | 8(3812)660118 |
