Транзистор FDD6635 TO-252 ONS (N-канал 35В 59А)
Номер товара: 59751
253 p
Со скидкой: 231 p
Есть на складах: 2 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор FDD6635 TO-252 ONS (N-канал 35В 59А)
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Field-effect transistor, N-channel, 35V 59A 0.010 Ohm
Производитель: ONS
Технические параметры
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1400пФ
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK /TO-252AA
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Field-effect transistor, N-channel, 35V 59A 0.010 Ohm
Производитель: ONS
Технические параметры
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 1400пФ
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK /TO-252AA
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | ONS |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252-3) |
| Тип радиодетали | Транзистор |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 35 В, V |
| Максимальный ток, А | 59 А |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 2 шт. | 8(3812)660118 |
Похожие товары
Транзистор 2SK3878 TO-3P Toshiba N-канал 900В 9А 150Вт (рекомендуемая замена TK9J90E)374 p418 p374 p
Есть: 5 шт.
