Транзистор IRF7904 SO8 IR (N канал 30В 7.6А/11А)
Номер товара: 59820
320 p
Со скидкой: 300 p
Есть на складах: 3 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор IRF7904 SO8 IR (N канал 30В 7.6А/11А)
Тип транзистора: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.6 А/11 А
Производитель: International Rectifier (IR)
Технические параметры
Конфигурация и полярность DUAL N
Максимальное напряжение сток-исток 30 В
Ток стока номинальный при 25C 11 А
Сопротивление открытого канала (мин) 8.6 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 10.8 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10.8 мОм
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 14 нКл
Рассеиваемая мощность 2 Вт
Примечание Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 10.8ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора 910 пФ
Тип корпуса: SO8
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.6 А/11 А
Производитель: International Rectifier (IR)
Технические параметры
Конфигурация и полярность DUAL N
Максимальное напряжение сток-исток 30 В
Ток стока номинальный при 25C 11 А
Сопротивление открытого канала (мин) 8.6 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 10.8 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10.8 мОм
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 14 нКл
Рассеиваемая мощность 2 Вт
Примечание Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 10.8ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора 910 пФ
Тип корпуса: SO8
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Комплектация | Транзистор -1 шт. |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | от -55 до +150 °С |
| Название группы | Сборки транзисторов Mosfet |
| Производитель | International Rectifier (IR) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | Dual N/N канал |
| Тип | Сборка транзисторов Mosfet |
| Тип корпуса | SO8 (Soic-8) |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес без упаковки, гр | 0.15 гр |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 30 В, V |
| Мощность, Вт, W | 2 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 3 шт. | 8(3812)660118 |
