Транзистор IRF7301 SO8 IR (N-канал 20В 5.2А 2Вт)
Номер товара: 59797
225 p
Со скидкой: 210 p
Есть на складах: 10 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор IRF7301 SO8 IR (N-канал 20В 5.2 А)
Тип транзистора: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies AG, International Rectifier (IR)
Технические параметры
Конфигурация и полярность DUAL N
Максимальное напряжение сток-исток 20 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.2 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 50 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 50 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.7 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В
Максимальное напряжение затвора 12 В
Заряд затвора 13.3 нКл
Рассеиваемая мощность 2 Вт
Ёмкость затвора 660 пФ
Тип корпуса soic-8
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 5.2 А
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies AG, International Rectifier (IR)
Технические параметры
Конфигурация и полярность DUAL N
Максимальное напряжение сток-исток 20 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.2 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 50 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 50 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2.7 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В
Максимальное напряжение затвора 12 В
Заряд затвора 13.3 нКл
Рассеиваемая мощность 2 Вт
Ёмкость затвора 660 пФ
Тип корпуса soic-8
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | Infineon Technologies AG; International Rectifier (IR) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | Dual N/N канал |
| Тип корпуса | SO8 (Soic-8) |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 20 В, V |
| Максимальный ток, А | 5.2 А |
| Мощность, Вт, W | 2 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 10 шт. | 8(3812)660118 |
