Транзистор IRF7313 SO8 IR (N-канал 30В 6.5А 2Вт)
Номер товара: 59801
125 p
Со скидкой: 115 p
Есть на складах: 58 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор IRF7313 SO8 IR (N-канал 30В 6.5А 2Вт)
Тип транзистора: ТСборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Производитель: International Rectifier
Технические параметры
Конфигурация и полярность DUAL N
Максимальное напряжение сток-исток 30 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А
Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 29 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 3 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 22 нКл
Рассеиваемая мощность 2 Вт
Тип корпуса: SO8
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: ТСборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
Производитель: International Rectifier
Технические параметры
Конфигурация и полярность DUAL N
Максимальное напряжение сток-исток 30 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.5 А
Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 23 мОм
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 29 мОм
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 3 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Заряд затвора 22 нКл
Рассеиваемая мощность 2 Вт
Тип корпуса: SO8
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | Infineon Technologies AG; International Rectifier (IR) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | Dual N/N канал |
| Тип корпуса | SO8 (Soic-8) |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые MOSFETs |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 30 В, V |
| Максимальный ток, А | 6.5 А |
| Мощность, Вт, W | 2 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 58 шт. | 8(3812)660118 |
Похожие товары
Недавно просмотренные
Резистор 5.1Ом 0.125Вт С2-23имп., MFR-12FTF52 1%, Yageo, 0.125Вт постоянный18 p20 p18 p
Нет в наличии
Электронный биометрический навесной замок Fingerprint Lock Anytek L4 со сканером отпечатка пальца5000 p5900 p5000 p
Есть: 1 шт.
