Транзистор STP45NF06 TO-220AB STM (N-канал 60В 38А 80В)
Номер товара: 59709

130 p
Со скидкой: 120 p
Есть на складах: 4 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор STP45NF06 TO-220AB STM (N-канал 60В 38А 80В)
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: ST Microelectronics
Технические параметры
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Fall Time: 10 ns
Forward Transconductance - Min: 18 S
Id - Continuous Drain Current: 38 A
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Pd - Power Dissipation: 80 W
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 28 mOhms
Rise Time: 40 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 28 ns
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Maximum Continuous Drain Current 38 A
Maximum Drain Source Resistance 28 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Typical Gate Charge @ Vgs 32 nC @ 10 V
Тип корпуса: TO-220AB
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом
MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: ST Microelectronics
Технические параметры
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Fall Time: 10 ns
Forward Transconductance - Min: 18 S
Id - Continuous Drain Current: 38 A
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Pd - Power Dissipation: 80 W
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 28 mOhms
Rise Time: 40 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 28 ns
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Maximum Continuous Drain Current 38 A
Maximum Drain Source Resistance 28 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 80 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Typical Gate Charge @ Vgs 32 nC @ 10 V
Тип корпуса: TO-220AB
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | от -55 до +175 °С |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 60 В, V |
| Максимальный ток, А | 38 А |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 4 шт. | 8(3812)660118 |
Похожие товары
Недавно просмотренные
Конденсатор 68мкФ 400В 22*25мм 105С Yageo LG400M0068BPF-2225 Snap-in 500мА 2000час240 p260 p240 p
Нет в наличии



