Транзистор TTK2837 (2SK2837) TO-3P(N) Toshiba (N-канал 500В 20А 280Вт)
Номер товара: 59646

550 p
Со скидкой: 520 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор TTK2837 (2SK2837) TO-3P(N) Toshiba (N-канал 500В 20А)
Тип транзистора:Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт (высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей)
Field-effect transistor, N-channel, 500V 20A 280W
Производитель: Toshiba
Технические параметры
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: TO-3P(N) (SC-65/2-16C1B)
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 4.6
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора:Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт (высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей)
Field-effect transistor, N-channel, 500V 20A 280W
Производитель: Toshiba
Технические параметры
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: TO-3P(N) (SC-65/2-16C1B)
Пороговое напряжение на затворе: 4
Вес, г: 4.6
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Комплектация | Транзистор TTK2837 Toshiba -1шт. |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Диапазон рабочих температур | от -55 до +150 °С |
| Название группы | Транзисторы Mosfet |
| Производитель | Toshiba Semiconductor |
| Страна производитель | Китай |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип | Транзистор Mosfet |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес без упаковки, гр | 4.6 гр |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
| Максимальное напряжение, В, V | 500 В, V |
| Максимальный ток, А | 20 А |
| Мощность, Вт, W | 280 Вт, W |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии

