Транзистор GP28S50G
Номер товара: 49025
385 p
Со скидкой: 352 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 255 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40.7 nC
Время нарастания (tr): 104.5 ns
Выходная емкость (Cd): 1766.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 255 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 40.7 nC
Время нарастания (tr): 104.5 ns
Выходная емкость (Cd): 1766.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии
