Транзистор TK39N60W

Полярность: N

Id - непрерывный ток утечки 38.8 A
Pd - рассеивание мощности 270 W
Qg - заряд затвора 110 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.7 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 50 ns
Время спада 9 ns
Высота 20.95 mm
Длина 15.94 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение DTMOSIV
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия TK39N60W
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 200 ns
Типичное время задержки при включении 80 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок TO-247-3
Ширина 5.02 mm
Base Product Number SSM3K345 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 38.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 300V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 19.4A, 10V
RoHS Status RoHS Compliant
Series DTMOSIV ->
Supplier Device Package TO-247
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.9mA