Транзистор IRF1010N
Номер товара: 15574
216 p
Со скидкой: 195 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 72 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 72 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой, гр до | 20 гр |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии
