Транзистор 1Т403В (упаковка 2 шт)

Транзисторы 1Т403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 4,0 г.
Основные технические характеристики транзистора 1Т403В: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется.