Транзистор GT50JR22 TO-3P(N) Toshiba (упаковка 2шт) IGBT 600В 50А 230Вт

Номер товара: 65134

Транзистор GT50JR22 TO-3P(N) Toshiba (упаковка 2шт) IGBT 600В 50А 230Вт

803 p

Со скидкой: 770 p

Нет в наличии

Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽

Посчитать доставку

Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:

Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.

Описание товара
Характеристики
Отзывы
Наличие в магазинах г.Омска

Описание товара

Транзистор GT50JR22 TO-3P(N) Toshiba (IGBT 600В 50А 230Вт)

Тип транзистора: Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Производитель: Toshiba Semiconductor

Технические параметры
Напряжение К-Э максимальное: 600
Ток коллектора максимальный при 25°C: 50 А
Напряжение насыщения К-Э: 2.2 В
Время включения: 250 нс
Время выключения: 330 нс
Максимальная мощность: 230 Вт
Тип корпуса: TO-3PN

Количество в упаковке, шт: 1

Показать полностью...

Характеристики

Артикул	нет
Комплектация	Транзистор GT50JR22 Toshiba 2шт
Бренд	Radiosfera
Вид активного компонента	Транзисторы, транзисторные сборки и модули
Диапазон рабочих температур	от -55 до +175 °С
Название группы	Транзисторы IGBT
Производитель	Toshiba Semiconductor
Страна производитель	Китай
Структура транзистора	N-канал
Тип	Транзистор IGBT
Тип корпуса	TO-3PN
Тип радиодетали	Транзистор
Тип транзистора	Транзисторы IGBT
Тип элемента	Активные компоненты
Цвет	черный
Вес без упаковки, гр	10 гр
Вес с упаковкой, гр до	30 гр
Количество в упаковке	2 шт
Максимальное напряжение, В, V	600 В, V
Максимальный ток, А	50 А
Мощность, Вт, W	230 Вт, W

Отзывы

Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.

Наличие в магазинах г.Омска

Товара нет в наличии