Транзистор КТ818ВМ

Структура PNP

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 70

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 15

Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц 3

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) 100

Корпус KT-9 TO-3

КТ818ВМ: кремниевые переключательные транзисторы для применения в усилителях и других электронных устройствах

КТ818ВМ — это кремниевые транзисторы, разработанные по технологии мезаэпитаксиально-планарной структуры p-n-p. Они предназначены для использования в усилителях и различных переключающих устройствах, а также в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.

Эти транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами, что обеспечивает их надежность и долговечность. Маркировка нанесена на корпус в виде цифро-буквенного кода. Тип корпуса — КТ-9 (TO-3), а масса транзистора не превышает 20,0 г.

Импортные аналоги: BD246, BDW22A, BDW52A, 2N6246, BDX94, BDX18.

•
Структура транзистора: p-n-p;
•
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
•
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
•
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,1 кОм);
•
Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
•
Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
•
Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
•
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
•
Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
•
Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
•
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом.