Транзистор STP5NK60Z TO-220 STM (N-канал 600В 5А 90Вт)
Номер товара: 59715
260 p
Со скидкой: 240 p
Есть на складах: 1 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Транзистор STP5NK60Z, TO-220, STM
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 90Вт
MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Технические параметры
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А
Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.6 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.6 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В
Максимальное напряжение затвора 30 В
Заряд затвора 34 нКл
Рассеиваемая мощность 90 Вт
Примечание Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Ёмкость затвора 6.9 мкФ
Количество в упаковке, шт: 1
Тип транзистора: Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 90Вт
MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: ST Microelectronics (STM)
Технические параметры
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5 А
Сопротивление открытого канала (мин) 1.6 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.6 Ом
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.6 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В
Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В
Максимальное напряжение затвора 30 В
Заряд затвора 34 нКл
Рассеиваемая мощность 90 Вт
Примечание Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Ёмкость затвора 6.9 мкФ
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Транзисторы, транзисторные сборки и модули |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Страна производитель | Китай |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип транзистора | Транзисторы полевые |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Количество в упаковке, шт | 1 |
| Вес с упаковкой до | 30 гр |
| Максимальное напряжение | 600 В, V |
| Максимальный ток | 5 А |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис-магазин "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 1 шт. | 8(3812)660118 |
