Микросхема IR2127 DIP8 IR
Номер товара: 53524
900 p
Со скидкой: 885 p
Есть на складах: 7 шт.
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Микросхема IR2127 DIP8 IR
Тип микросхемы: Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
Производитель: International Rectifier / Infineon Technologies
Технические параметры
Конфигурация High-Side/Low-Side
Тип канала Один
Кол-во каналов 1
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 12…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150(TJ)
Корпус DIP-8
Количество в упаковке, шт: 1
Тип микросхемы: Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
Производитель: International Rectifier / Infineon Technologies
Технические параметры
Конфигурация High-Side/Low-Side
Тип канала Один
Кол-во каналов 1
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 12…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150(TJ)
Корпус DIP-8
Количество в упаковке, шт: 1
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Комплектация | Микросхема - 1 шт. |
| Бренд | Radiosfera |
| Вид активного компонента | Микросхемы |
| Вид электромеханического устройства | Органы управления |
| Диапазон рабочих температур | от -40 до +150 °С |
| Название группы | Микросхемы (драйверы и ключи) |
| Производитель | International Rectifier (IR) |
| Страна производитель | Китай |
| Тип | Микросхема (драйверы и ключи) |
| Тип корпуса | DIP8 |
| Тип микросхемы | Драйверы MOSFET, FET-IGBT |
| Тип радиодетали | Микросхема |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес без упаковки, гр | 1 гр |
| Вес с упаковкой, гр до | 30 гр |
| Количество в упаковке | 1 шт |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
| Офис "Радиосфера", ул. Магистральная, 58/А | 7 шт. | 8(3812)660118 |
