Транзистор 2SD882

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В
Длина 7.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база 60 В
Производитель STMicroelectronics
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 30 V
Тип корпуса SOT-32
Максимальное рассеяние мощности 12,5 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 2.7мм
Максимальный пост. ток коллектора 3 A
Тип транзистора NPN
Высота 10.8мм
Число контактов 3
Размеры 10.8 x 7.8 x 2.7мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 30
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.1 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V
Length 7.8мм
Transistor Configuration Одинарный
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Brand STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage 30 V
Package Type SOT-32
Maximum Power Dissipation 12.5 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Ширина 2.7mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Transistor Type NPN
Высота 10.8mm
Pin Count 3
Dimensions 10.8 x 7.8 x 2.7mm
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Minimum DC Current Gain 30
Вес, г 1.263