Транзистор IRFD120
Номер товара: 14568
58 p
Со скидкой: 52 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.94 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Выходная емкость (Cd): 360 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Тип корпуса: HEXDIP
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.94 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
Выходная емкость (Cd): 360 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Тип корпуса: HEXDIP
Показать полностью...
Характеристики
| Артикул | нет |
| Производитель | ST Microelectronics (STM) |
| Тип элемента | Активные компоненты |
| Цвет | черный |
| Вес с упаковкой до | 20 гр |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии
