Транзистор IRFBE30
Номер товара: 14565
58 p
Со скидкой: 52 p
Нет в наличии
Доставка по РФ от 3 дней и от 150 ₽
Хочу, чтобы менеджер оформил мой заказ:
Нажимая на кнопку «Позвоните мне!», я даю согласие на обработку персональных данных.
- Описание товара
- Характеристики
- Отзывы
- Наличие в магазинах г.Омска
Описание товара
Максимальный ток стока: 4,1А
Максимальное напряжение сток-исток: 800V
Сопротивление сток-исток (откр.): < 3,0 om
Максимальная мощность рассеивания: 125W
Допустимое напряжение на затворе: ±20V
Пороговое напряжение на затворе: +2,0..+4,0V
Ток утечки затвора: < 0,1 µA
Ток утечки стока (закр.): < 100 µA
Время включения/выключения: 12/82nS (тип.)
Входная ёмкость: 1300pF
Выходная ёмкость: 310pF
Время восстановления диода: 480nS (тип.)
Корпус: TO-220
Диапазон рабочих температур кристалла: -55..+150oC
Максимальное напряжение сток-исток: 800V
Сопротивление сток-исток (откр.): < 3,0 om
Максимальная мощность рассеивания: 125W
Допустимое напряжение на затворе: ±20V
Пороговое напряжение на затворе: +2,0..+4,0V
Ток утечки затвора: < 0,1 µA
Ток утечки стока (закр.): < 100 µA
Время включения/выключения: 12/82nS (тип.)
Входная ёмкость: 1300pF
Выходная ёмкость: 310pF
Время восстановления диода: 480nS (тип.)
Корпус: TO-220
Диапазон рабочих температур кристалла: -55..+150oC
Показать полностью...
Характеристики
Артикул | нет |
Производитель | ST Microelectronics (STM) |
Тип элемента | Активные компоненты |
Цвет | черный |
Вес с упаковкой до | 20 гр |
Отзывы
Уважаемые посетители! Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и жалобы в администрацию социальной сети.
Наличие в магазинах г.Омска
Товара нет в наличии